▪ Ein hoher Umwandlungswirkungsgrad führt zu einer hervorragenden Ausgangsleistung
▪ Hervorragende Ausgangsleistung auch bei schwachem Licht oder hohen Temperaturen
▪ Optimiertes Design für einfaches Löten und Schichten
▪ Langzeitstabilität und zuverlässige Leistung
▪ Geringe Bruchrate
▪ Einheitliche Farben
Produkt | Wafer |
Material | Silizium |
Kristallwachstumsmethode | CZ-Straight-Pull-Methode |
Leitfähigkeitstyp | N-Typ |
Widerstand | 0,3-2,1 Ohm/cm2 |
Lebensdauer der Minderheitsträger | ≥800μs |
interstitieller Sauerstoffgehalt | ≤13ptma |
Ersatzkohlenstoffgehalt | ≤1ptma |
Wafertyp | Einkristall |
Wafergröße | 182*182±0,3mm |
Fasenlänge | 245,6 ± 0,3 mm |
Winkel | 90 ± 0,2° |
Batteriedicke | 140 μm ± 14 μm |
LSC-Temperaturkoeffizient α (%/K) | +0,07 |
VOC-Temperaturkoeffizient β(%/K°) | -0,36 |
Pmax Temperaturkoeffizient v (%/K°) | -0,38 |
Nominale Testbedingungen für IV-Parameter sind Standardtestbedingungen (Einstrahlung 10,0 Wm7, AM 15, Zelltemperatur 25'°C) Alle Messungen werden an Laminatleitungen garantiert. NOCT misst die Windgeschwindigkeit bei 800 W/m², 20 °C Umgebungstemperatur und 1 m/s. Die Spezifikationen können ohne Vorankündigung geändert werden.
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