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JS182N16

▪ Ein hoher Umwandlungswirkungsgrad führt zu einer hervorragenden Ausgangsleistung

▪ Hervorragende Ausgangsleistung auch bei schwachem Licht oder hohen Temperaturen

▪ Optimiertes Design für einfaches Löten und Schichten

▪ Langzeitstabilität und zuverlässige Leistung

▪ Geringe Bruchrate

▪ Einheitliche Farben

  • kostenlose Lieferung vor Ort
  • 25 Jahre Netzteilgarantie
  • Lebenslanger Kundensupport
Zertifizierungen und Standards
Monokristalline Zelle JS182N16
Merkmal
JS182N16單晶電池片
JS182N16單晶電池片
Designattribute
Produkt Wafer
Material Silizium
Kristallwachstumsmethode CZ-Straight-Pull-Methode
Leitfähigkeitstyp N-Typ
Widerstand 0,3-2,1 Ohm/cm2
Lebensdauer der Minderheitsträger ≥800μs
interstitieller Sauerstoffgehalt ≤13ptma
Ersatzkohlenstoffgehalt ≤1ptma
Wafertyp Einkristall
Wafergröße 182*182±0,3mm
Fasenlänge 245,6 ± 0,3 mm
Winkel 90 ± 0,2°
Batteriedicke 140 μm ± 14 μm
IV-Kurve
elektrische Eigenschaften


JS182N16

Elektrische Leistungsparameter
LSC-Temperaturkoeffizient α (%/K) +0,07
VOC-Temperaturkoeffizient β(%/K°) -0,36
Pmax Temperaturkoeffizient v (%/K°) -0,38


Nominale Testbedingungen für IV-Parameter sind Standardtestbedingungen (Einstrahlung 10,0 Wm7, AM 15, Zelltemperatur 25'°C) Alle Messungen werden an Laminatleitungen garantiert. NOCT misst die Windgeschwindigkeit bei 800 W/m², 20 °C Umgebungstemperatur und 1 m/s. Die Spezifikationen können ohne Vorankündigung geändert werden.

JS Solar behält sich das Recht der endgültigen Auslegung und Überarbeitung dieses Datenblattes vor.

Wenden Sie sich bei Koordinationsproblemen an JS SOLAR
Es geht darum, Dinge einfach zu machen, Partnerschaften aufzubauen und eine Anlaufstelle bereitzustellen.
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