▪ L'elevata efficienza di conversione si traduce in eccellenti prestazioni di potenza in uscita
▪ Eccellente erogazione di potenza anche in condizioni di scarsa luminosità o alta temperatura
▪ Design ottimizzato per una facile saldatura e stratificazione
▪ Stabilità a lungo termine e prestazioni affidabili
▪ Basso tasso di rottura
▪ Colori uniformi
Prodotto | wafer |
Materiale | silicio |
Metodo di crescita dei cristalli | Metodo di tiro dritto CZ |
tipo di conduttività | Tipo N |
Resistività | 0,3-2,1ohm/cm2 |
durata del vettore di minoranza | ≥800μs |
contenuto di ossigeno interstiziale | ≤13ptma |
contenuto di carbonio sostitutivo | ≤1ptma |
Tipo wafer | cristallo singolo |
Dimensione del wafer | 182*182±0,3 mm |
Lunghezza dello smusso | 245,6±0,3 mm |
angolo | 90±0,2° |
spessore della batteria | 140μm±14μm |
Coefficiente di temperatura LSC α (%/K) | +0,07 |
Coefficiente di temperatura VOC β(%/K°) | -0,36 |
Pmax coefficiente di temperatura v (%/K°) | -0,38 |
Le condizioni di test nominali per i parametri IV sono condizioni di test standard (irraggiamento 10,0 Wm7, AM 15, temperatura della cella 25'°C) Tutte le misurazioni sono garantite ai conduttori laminati. NOCT misura la velocità del vento a 800 W/m², una temperatura ambiente di 20°C e 1 m/s. Le specifiche sono soggette a modifiche senza preavviso.
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