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JS182N16

▪ L'elevata efficienza di conversione si traduce in eccellenti prestazioni di potenza in uscita

▪ Eccellente erogazione di potenza anche in condizioni di scarsa luminosità o alta temperatura

▪ Design ottimizzato per una facile saldatura e stratificazione

▪ Stabilità a lungo termine e prestazioni affidabili

▪ Basso tasso di rottura

▪ Colori uniformi

  • consegna locale gratuita
  • 25 anni di garanzia sull'alimentatore
  • Assistenza clienti a vita
Certificazioni e standard
Cella monocristallina JS182N16
caratteristica
JS182N16單晶電池片
JS182N16單晶電池片
attributi di progettazione
Prodotto wafer
Materiale silicio
Metodo di crescita dei cristalli Metodo di tiro dritto CZ
tipo di conduttività Tipo N
Resistività 0,3-2,1ohm/cm2
durata del vettore di minoranza ≥800μs
contenuto di ossigeno interstiziale ≤13ptma
contenuto di carbonio sostitutivo ≤1ptma
Tipo wafer cristallo singolo
Dimensione del wafer 182*182±0,3 mm
Lunghezza dello smusso 245,6±0,3 mm
angolo 90±0,2°
spessore della batteria 140μm±14μm
Curva IV
proprietà elettriche


JS182N16

Parametri delle prestazioni elettriche
Coefficiente di temperatura LSC α (%/K) +0,07
Coefficiente di temperatura VOC β(%/K°) -0,36
Pmax coefficiente di temperatura v (%/K°) -0,38


Le condizioni di test nominali per i parametri IV sono condizioni di test standard (irraggiamento 10,0 Wm7, AM 15, temperatura della cella 25'°C) Tutte le misurazioni sono garantite ai conduttori laminati. NOCT misura la velocità del vento a 800 W/m², una temperatura ambiente di 20°C e 1 m/s. Le specifiche sono soggette a modifiche senza preavviso.

JS Solar si riserva il diritto di interpretazione e revisione finale di questa scheda tecnica.

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