▪ 效率:平均效率超過25%
▪ 發電量:發電增益高(gāo)達5%+
▪ 雙面系數:雙面系數高(gāo)>95%
▪ 技術:4-6步技術
▪ 廢水(shuǐ):零NH3-N廢水(shuǐ)
▪ 量産:120um厚矽片量産能力
▪ 溫度:生産溫度≤250℃
▪ 良率:平均良率高(gāo)達98%
▪ 無衰減:無PID.LID效應
▪ 溫度系數:較低的(de)溫度系數
尺寸 | 210 mm*105 mm±0.25 mm |
厚度(Si) | 120μm ± 20μm |
材料 | N型單晶矽 |
效率 Eff(%) | 26.0 | 25.9 | 25.8 | 25.7 | 25.6 | 25.5 | 25.4 | 25.3 | 25.2 | 25.1 | 25.0 | 24.9 |
最大(dà)功率 Pmpp(W) | 5.73 | 5.71 | 5.69 | 5.67 | 5.64 | 5.62 | 5.60 | 5.58 | 5.56 | 5.53 | 5.51 | 5.49 |
開路電壓 Uoc(V) | 0.752 | 0.751 | 0.751 | 0.750 | 0.750 | 0.749 | 0.749 | 0.748 | 0.748 | 0.748 | 0.747 | 0.747 |
短路電流 Isc(A) | 8.806 | 8.797 | 8.772 | 8.748 | 8.730 | 8.719 | 8.687 | 8.672 | 8.658 | 8.631 | 8.623 | 8.604 |
填充因子 FF(%) | 86.61 | 86.42 | 86.38 | 86.36 | 86.30 | 86.21 | 86.19 | 86.10 | 85.91 | 85.88 | 85.52 | 85.48 |
最大(dà)電壓 Umpp(V) | 0.682 | 0.681 | 0.680 | 0.679 | 0.679 | 0.678 | 0.678 | 0.677 | 0.676 | 0.675 | 0.674 | 0.673 |
最大(dà)電流 Impp(A) | 8.410 | 8.382 | 8.368 | 8.340 | 8.327 | 8.315 | 8.276 | 8.261 | 8.238 | 8.218 | 8.186 | 8.172 |
效率 Eff(%) | 24.8 | 24.7 | 24.6 |
最大(dà)功率 Pmpp(W) | 5.47 | 5.45 | 5.42 |
開路電壓 Uoc(V) | 0.747 | 0.746 | 0.746 |
短路電流 Isc(A) | 8.592 | 8.586 | 8.577 |
填充因子 FF(%) | 85.30 | 85.11 | 84.87 |
最大(dà)電壓 Umpp(V) | 0.672 | 0.671 | 0.670 |
最大(dà)電流 Impp(A) | 8.149 | 8.135 | 8.115 |
LSC溫度系數 α (%/K) | +0.07 |
VOC溫度系數 β(%/K°) | -0.36 |
Pmax溫度系數 v (%/K°) | -0.38 |
IV 參數的(de)額定測試條件爲标準測試條件(輻照(zhào)度 10.0 Wm7,AM 1.5,電池溫度 25'℃)所有測量值均在層壓闆引線處得(de)到保證。NOCT 在 1000W/㎡、20C 環境溫度和(hé) 1 m/s 下(xià)測量 風速。規格如有更改,恕不另行通(tōng)知。
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