▪ Efficienza: l'efficienza media supera il 25%
▪Produzione di energia : guadagno nella produzione di energia fino al 5%+
▪Coefficiente bifacciale: coefficiente bifacciale elevato >95%
▪Tecnica : tecnica in 4-6 passaggi
▪Acque reflue : Zero acque reflue NH3-N
▪Produzione di massa : capacità di produzione di massa di wafer di silicio spessi 120um
▪Temperatura : temperatura di produzione ≤250℃
▪ Tasso di rendimento: il tasso di rendimento medio è pari al 98%
▪Nessuna attenuazione: nessun effetto PID.LID
▪Coefficiente di temperatura : coefficiente di temperatura inferiore
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| misurare | 210 mm*105 mm±0,25 mm |
| Spessore (Si) | 120μm±20μm |
| Materiale | Silicio monocristallino di tipo N |
| EfficienzaEff (%) | 26.0 | 25.9 | 25.8 | 25.7 | 25.6 | 25,5 | 25.4 | 25.3 | 25.2 | 25.1 | 25.0 | 24.9 |
| Potenza massima Pmpp(W) | 5.73 | 5.71 | 5.69 | 5.67 | 5.64 | 5.62 | 5,60 | 5.58 | 5.56 | 5.53 | 5.51 | 5.49 |
| Tensione a circuito aperto Uoc(V) | 0,752 | 0,751 | 0,751 | 0,750 | 0,750 | 0,749 | 0,749 | 0,748 | 0,748 | 0,748 | 0,747 | 0,747 |
| Corrente di cortocircuito Isc(A) | 8.806 | 8.797 | 8.772 | 8.748 | 8.730 | 8.719 | 8.687 | 8.672 | 8.658 | 8.631 | 8.623 | 8.604 |
| Fattore di riempimento FF(%) | 86.61 | 86.42 | 86.38 | 86.36 | 86.30 | 86.21 | 86.19 | 86.10 | 85.91 | 85,88 | 85,52 | 85.48 |
| Tensione massima Umpp(V) | 0,682 | 0,681 | 0,680 | 0,679 | 0,679 | 0,678 | 0,678 | 0,677 | 0,676 | 0,675 | 0,674 | 0,673 |
| Corrente massima Impp(A) | 8.410 | 8.382 | 8.368 | 8.340 | 8.327 | 8.315 | 8.276 | 8.261 | 8.238 | 8.218 | 8.186 | 8.172 |
| EfficienzaEff (%) | 24.8 | 24.7 | 24.6 |
| Potenza massima Pmpp(W) | 5.47 | 5.45 | 5.42 |
| Tensione a circuito aperto Uoc(V) | 0,747 | 0,746 | 0,746 |
| Corrente di cortocircuito Isc(A) | 8.592 | 8.586 | 8.577 |
| Fattore di riempimento FF(%) | 85.30 | 85.11 | 84,87 |
| Tensione massima Umpp(V) | 0,672 | 0,671 | 0,670 |
| Corrente massima Impp(A) | 8.149 | 8.135 | 8.115 |
| Coefficiente di temperatura LSC α (%/K) | +0,07 |
| Coefficiente di temperatura COV β(%/K°) | -0,36 |
| Coefficiente di temperatura Pmax v (%/K°) | -0,38 |
Le condizioni di test nominali per i parametri IV sono condizioni di test standard (irradianza 10,0 Wm7, AM 1,5, temperatura della cella 25'°C). Tutte le misurazioni sono garantite su cavi laminati. NOCT misura la velocità del vento a 1000 W/㎡, temperatura ambiente 20°C e 1 m/s. Le specifiche sono soggette a modifiche senza preavviso.
JS Solar si riserva il diritto di interpretazione e revisione finale di questa scheda tecnica.
JS SOLAR è stata fondata nel 2007 e si trova nella città di Wuxi. Specializzata nella produzione di prodotti solari, come celle solari, pannelli solari fotovoltaici, inverter solari, sistemi di montaggio, ecc.
Le nostre apparecchiature di automazione sono importate da Germania, Italia, Giappone e altri paesi...
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